晶振中心
進口晶振
- SMI晶振
- KDS晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 愛普生晶振
- 村田晶振
- 日本NDK晶體
- 京瓷晶振
- 臺灣TXC晶振
- 泰藝晶振
- 亞陶晶振
- 希華晶體
- 臺灣津綻晶體
- 美國CTS石英晶振
- 加高晶體
- 大河晶振
- 鴻星晶振
- 富士石英晶體
- AKER晶振
- Lihom晶振
- NAKA晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
石英晶體諧振器
歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- ILSI晶振
- FOX晶振
- fujicom晶振
- AEK晶振
- CRYSTEK晶振
- interquip晶振
- Geyer晶振
- quartzcom晶振
- qantek晶振
- EUROQUARTZ晶振
- quarztechnik晶振
- Cardinal晶振
- FRE-TECH晶振
- KVG晶振
- wi2wi晶振
- AEL晶振
- Transko晶振
- suntsu晶振
- mmdcomp晶振
- MERCURY晶振
- MTRONPTI晶振
- RALTRON晶振
- Microcrystal晶振
- SITIME晶振
- IDT晶振
- Pletronics晶振
- STATEK晶振
- Rakon晶振
- ConnorWinfield晶振
- JAUCH晶振
- VECTRON晶振
- Greenray晶振
- ECLIPTEK晶振
- ACT晶振
- MTI-milliren晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
- DEI晶振
數(shù)碼產(chǎn)品
智能家電
時計產(chǎn)品
車載產(chǎn)品
石英晶體振蕩器
- 編號：31197402
- 頻率：1.00~155.52MHz
- 尺寸：5.0*3.2*1.3mm
qantek晶振,QX5晶振,進口有源晶振
5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕...
.jpg)
qantek晶振,QX5晶振,進口有源晶振.智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
TXC,NDK,希華.jpg)
QANTEK為每位客戶分配一位作為主要聯(lián)系人的客戶經(jīng)理,負責開發(fā)QANTEK資源的業(yè)務關(guān)系以滿足每位客戶的需求.通過此系統(tǒng),QANTEK進口貼片晶振公司可以保持強大的客戶關(guān)系,而響應式服務和支持最重要.QANTEK希望成為您首選的頻率管理產(chǎn)品供應商.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| 晶振項目 | 符號 | 產(chǎn)品規(guī)格 |
|---|---|---|
| 標稱頻率 | f_nom | 1~155.52MHz |
| 頻率穩(wěn)定度 | ppm | ±20ppm，±25ppm，±50ppm，±100ppm |
| 輸出條件 | HCMOS | |
| 電源電壓 | Vcc | +1.8V，+2.5V，+3.3V |
| 負載電容 | CL | 15pF |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 70kΩ Max. |
| 絕對最大驅(qū)動電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
| 驅(qū)動電平 | DL | 0.1μW typ. |
| 并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
| 頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
| 工作溫度 | T_use |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ -40℃~+105℃ -40℃~+125℃ |
| 儲藏溫度 | T_stg | −55℃~+125℃ |
TXC,NDK,希華.jpg)
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).
晶體振蕩器和實時時鐘模塊
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導致石英有源晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)
QANTEK晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
QANTEK晶振集團將確保其耐高溫晶振產(chǎn)品及相關(guān)設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.
美國QANTEK晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
QANTEK晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.過去QANTEK晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
系熱線.jpg)
深圳市康華爾電子有限公司SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO.,LTD
電 話：0755-27838351
手 機：13823300879
Q Q：632862232
E-mail：konuaer@163.com
網(wǎng) 址：http://m.jugard.cn
地 址：廣東深圳市寶安寶安大道東95號浙商銀行大廈1905
業(yè)務經(jīng)理
